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硅基大空腔中芯片埋入式技术

通过刻蚀获取硅空腔，把芯片埋入空腔，实现芯片背面的散热，通过重布线技术把芯片正面I/O引出。

ꄴ上一个：微凸块制备技术（micro-bump），和芯片与硅基转接板（C2W）之间的键合技术

ꄲ下一个： IPD技术

通过刻蚀获取硅空腔，把芯片埋入空腔，实现芯片背面的散热，通过重布线技术把芯片正面I/O引出。

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