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  • 微凸块制备技术（micro-bump），和芯片与硅基转接板（C2W）之间的键合技术

    通过芯片、转接板上的微凸块对准倒装键合方式，把不同芯片集成在硅转接板上，实现不同芯片的集成。

    넶378 ¥ 0.00

  • 硅基大空腔中芯片埋入式技术

    通过刻蚀获取硅空腔，把芯片埋入空腔，实现芯片背面的散热，通过重布线技术把芯片正面I/O引出。

    넶87 ¥ 0.00

  • IPD技术

    公司基于硅基三维高品质无源元件的研究，开发了包括三维集成电感、TSV盲孔阵列电容器等一系列无源结构的先进工艺，为硅基转接板三维集成射频微系统的微型化和高性能提供支撑。

    넶108 ¥ 0.00

  • 硅基转接板技术

    利用光刻技术、深硅刻蚀技术、真空薄膜沉积技术和电镀技术，制备高达10;1深宽比铜填充的互联孔，实现芯片电信号最短距离的互联，也为不同芯片的三维集成提供了支撑。

    넶86 ¥ 0.00
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